Samsung quiere llevar los 2 nm a la base de HBM4E y aprieta todavía más la carrera de la memoria para IA

Samsung estaría estudiando dar otro salto importante en su hoja de ruta de memorias para inteligencia artificial. La compañía surcoreana, según distintas informaciones de la industria conocidas esta semana, valora fabricar con proceso de 2 nanómetros la base die de sus futuras memorias HBM4E, un movimiento que no solo elevaría el listón técnico frente a sus rivales, sino que también reforzaría su apuesta por exprimir al máximo la combinación entre negocio de memoria y negocio de fundición.

La noticia llega en un momento especialmente sensible para el mercado de HBM, que se ha convertido en uno de los campos de batalla más importantes dentro del boom de la IA. No hablamos de un componente secundario, sino de una pieza clave en aceleradoras, GPUs para centros de datos y plataformas de computación de alto rendimiento, donde el ancho de banda de la memoria ya pesa casi tanto como la potencia bruta del chip principal.

Samsung apunta a un nodo más avanzado para la siguiente evolución de HBM

La clave de esta información está en la llamada base die, la capa lógica que se sitúa en la base del apilado de memoria HBM. En generaciones anteriores su papel era más limitado, pero con la llegada de HBM4 su importancia ha crecido con fuerza porque asume más tareas de control y abre la puerta a integrar funciones cada vez más sofisticadas.

Samsung ya había tomado una posición agresiva en esta carrera con HBM4, al recurrir a una base die fabricada en 4 nm dentro de su propia estructura industrial. La propia compañía ha comunicado recientemente el arranque de la producción masiva y el envío inicial de HBM4, destacando precisamente ese uso de una base lógica en 4 nm como uno de los pilares técnicos de la nueva generación.

Ahora, la posibilidad de pasar a 2 nm en HBM4E dibuja un escenario todavía más ambicioso. Sobre el papel, un nodo más fino permitiría mejorar la eficiencia por vatio, contener mejor el calor y ampliar las funciones que puede asumir esa base lógica dentro de un espacio muy limitado.

La batalla con SK hynix y Micron entra en una nueva fase

Este posible movimiento también debe leerse como una respuesta estratégica al tablero actual. SK hynix mantiene una posición muy fuerte en HBM y ha venido apoyándose en TSMC para determinados desarrollos de base lógica, mientras que Micron también ha acelerado su discurso y su calendario en torno a HBM4 y futuras variantes personalizadas. La consecuencia es clara: ya no basta con tener mucha capacidad de producción; ahora también pesa quién logra diferenciarse antes en proceso, empaquetado y personalización.

En ese contexto, Samsung intenta jugar una carta que sus rivales no pueden replicar con la misma facilidad: su perfil de fabricante integrado. La empresa puede combinar diseño de memoria, capacidad de foundry y tecnologías de empaquetado avanzadas dentro del mismo grupo. Esa estructura le permite probar una estrategia más vertical, con la idea de ganar tiempo y control en un segmento donde los grandes clientes de IA piden soluciones cada vez más ajustadas a sus necesidades.

Más que una mejora técnica: una declaración de intenciones

Lo interesante de esta posible adopción de 2 nm es que va mucho más allá de una simple mejora incremental. También funciona como mensaje al mercado. Samsung necesita demostrar que puede recuperar terreno y marcar el ritmo en uno de los negocios más rentables y observados del momento. La memoria HBM se ha convertido en un activo estratégico por la explosión de la IA generativa, el entrenamiento de modelos y el crecimiento de la infraestructura de centros de datos de alto rendimiento.

Además, la maniobra encaja con la hoja de ruta general que la propia Samsung ha trasladado en sus comunicaciones recientes. La empresa ya había avanzado que en 2026 su negocio de fundición se centraría, entre otras cosas, en asegurar el suministro de productos de 2 nm y del base die para HBM4. El salto hacia HBM4E sería, por tanto, una evolución coherente dentro de ese plan, aunque por ahora siga moviéndose en el terreno de la revisión interna y de los informes sectoriales.

Qué significa para el mercado de IA

Si Samsung termina ejecutando este plan, el impacto puede sentirse en varios frentes. El primero es el competitivo: obligaría al resto de fabricantes a justificar por qué mantienen nodos menos avanzados en productos estándar o a acelerar sus propios calendarios. El segundo es comercial: una base die en 2 nm daría a Samsung un argumento muy potente para negociar con clientes que buscan más eficiencia, más integración y más margen para diseños personalizados.

Y el tercero, quizá el más importante, es industrial. En la carrera de la IA ya no gana solo quien fabrica el procesador más rápido. Gana quien consigue que cómputo, memoria y empaquetado bailen al mismo compás sin que la factura energética se convierta en una bestia imposible de domar. Samsung quiere que HBM4E sea una pieza central de ese baile, y el salto a 2 nm en la base lógica sería una forma muy clara de demostrarlo.

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